日期:2026-01-11 08:03:14

2025年12月30日,上交所正式受理长鑫科技集团股份有限公司的科创板IPO申请,295亿元的拟募资规模,让这家中国大陆唯一具备规模化DRAM生产能力的企业,成为资本市场关注的焦点。
DRAM芯片是电子设备的核心“记忆中枢”,小到手机、电脑,大到AI算力中心、智能汽车,都离不开它的支撑。全球DRAM市场规模常年保持在800亿美元以上,但国内国产化率不足5%,市场份额被三星、SK海力士、美光三家国际巨头垄断。长鑫存储的此次IPO,不仅是企业自身寻求资本助力的重要举措,更是国产DRAM芯片产业向国际巨头发起冲击的关键信号,其上下游产业链企业也将迎来发展红利。

一、长鑫存储IPO:国产存储芯片产业的关键一战
长鑫存储的科创板IPO引发市场高度关注,核心源于其“稀缺性”与“战略价值”的双重属性。
从资本市场来看,长鑫存储是A股市场中唯一的DRAM存储芯片标的,且获得国家队重仓持股。DRAM作为半导体产业的核心分支,长期以来A股缺乏对应的投资标的,长鑫存储的上市,填补了这一空白,也为投资者提供了参与国产存储芯片产业发展的渠道。
从产业格局分析,全球DRAM市场的高规模与国内低国产化率形成鲜明反差。随着AI大模型普及、数据中心扩建、智能汽车智能化升级,国内对DRAM芯片的需求持续爆发,供需缺口不断扩大。目前长鑫存储产能位居中国第一、全球第四,已实现19nm DRAM芯片量产,17nm制程也即将突破,与国际巨头的技术差距正快速缩小。不过面对三星等企业的技术积淀与产能优势,长鑫存储仍面临产能不足、技术代差的挑战,此次295亿元募资将主要用于DRAM产线技术改造、先进制程产能建设和产业链布局,成为其突破发展瓶颈的关键。
我的个人分析是,长鑫存储的IPO并非单纯的融资行为,而是国产存储芯片产业的一次“集中蓄力”。上市后企业可借助资本市场的融资优势,加快技术研发与产能扩张节奏,形成“资本-技术-产能”的正向循环,逐步打破国际巨头的垄断,推动国产DRAM芯片实现自主可控。
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二、股权关联企业:分享长鑫存储的资本红利
长鑫存储的上市,首先利好与其存在股权关联的上市公司,这类企业通过直接或间接持股获得资本增值收益,部分企业还能借助股权关联实现业务协同,收获“资本+产业”的双重回报。
朗迪集团通过旗下基金间接持有长鑫存储母公司长鑫科技的股份。作为传统制造企业,朗迪集团跨界布局半导体领域优质标的,长鑫存储的上市将使其持有的股权价值得到重估,若长鑫存储后续业绩增长,朗迪集团还能获得分红收益,为企业业绩增添新增长点。
合肥城建依托母公司合肥建投与长鑫存储产生股权关联,作为合肥本地房地产企业,它深度参与了合肥半导体产业建设。长鑫存储的IPO不仅能让其股权资产增值,还能借助合肥半导体产业的集聚效应,拓展产业地产、园区运营等业务,实现与半导体产业的深度绑定。
上峰水泥通过参股基金管理公司向长鑫科技投资2亿元,间接持有长鑫存储部分股权。水泥行业属于传统周期行业,上峰水泥的这一布局丰富了自身投资版图,也为传统企业转型探索了新路径,长鑫存储的上市将为这笔跨界投资带来可观的资本回报。
中山公用作为广东地方国资的代表,通过产业基金对长鑫存储进行战略投资,既体现了地方国资对半导体产业的支持,也让中山公用得以分享国产存储芯片产业的发展红利。随着长鑫存储发展壮大,中山公用的投资收益将逐步兑现,同时还能借助长鑫存储的产业链资源,拓展新能源、半导体等领域的业务布局。
兆易创新是股权关联企业中与长鑫存储绑定最深的企业,不仅持有长鑫科技1.88%的股权,还与长鑫存储达成独家代工合作——兆易创新的DRAM产品由长鑫存储全权代工,双方在技术研发和产能分配上深度协同。这种“股权+业务”的双重绑定,让兆易创新既能享受长鑫存储上市带来的股权增值,又能借助其产能和技术优势,提升自身DRAM产品的市场竞争力,巩固在存储芯片领域的地位。
我的个人分析是,股权关联企业的受益程度存在明显差异:单纯的财务投资型企业,收益主要集中在股权增值层面;而兆易创新这类业务协同型企业,能从长鑫存储的发展中获得更持续的产业红利,长期投资价值更为突出。
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三、设备供应商:国产替代的核心机遇期来临
长鑫存储的募资将主要用于产线升级与先进制程建设,这意味着其对半导体设备的需求将大幅增加,国内设备供应商迎来国产替代的黄金机遇,同时可借助与长鑫存储的合作完成产品验证与技术迭代。
北方华创是国内半导体设备龙头,其刻蚀机、炉管设备已批量进入长鑫存储产线,双方还联合搭建了设备验证平台。长鑫存储的产能扩张将直接带动北方华创的设备订单增长,验证平台的建设也能帮助北方华创优化产品性能,提升在半导体设备领域的市场份额,加速国产设备的替代进程。
中微公司的TSV深孔刻蚀设备用于HBM芯片堆叠,ICP设备也已批量导入长鑫存储产线。HBM芯片是AI时代的核心存储器件,中微公司的设备进入长鑫存储供应链,不仅能获得稳定订单,还能积累HBM芯片设备的研发经验,助力其在高端半导体设备领域实现突破。
盛美上海的湿法清洗设备长期为长鑫存储供货,其技术突破也帮助长鑫存储优化了生产工艺。湿法清洗设备是半导体生产的关键环节,盛美上海凭借技术优势占据长鑫存储的供应链份额,长鑫存储的产线升级将进一步拉动其设备需求,形成“技术互补、合作共赢”的局面。
华海清科是国内唯一能量产CMP设备的企业,其产品已进入长鑫存储产线,支撑先进制程的生产。CMP设备长期被海外企业垄断,华海清科的产品落地标志着国产CMP设备实现商业化应用,长鑫存储的产能扩张将推动华海清科的产品放量,加速国产CMP设备的替代步伐。
精测电子的量检测设备适配长鑫存储12英寸晶圆生产线,直接影响芯片良率。精测电子的设备能进入长鑫存储供应链,体现了其技术实力,而长鑫存储的先进制程建设,将带动其高端量检测设备的需求,助力精测电子在半导体检测设备领域的发展。
我的个人分析是,半导体设备是国产替代的核心领域,长鑫存储的发展为国产设备企业提供了“实战”机会。那些产品已进入长鑫存储供应链、且在核心设备领域具备技术优势的企业,将在国产替代进程中占据先机,业绩增长的确定性更强。
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四、材料供应商:打破海外垄断,实现技术追平
半导体材料是芯片生产的基础,长鑫存储的产能扩张与技术升级,将带动国产材料企业发展,加速打破海外垄断,实现从“跟跑”到“并跑”的跨越。
多氟多的半导体级氢氟酸纯度达到UPSSS级,已成功供应长鑫存储,打破了海外企业的垄断。氢氟酸是半导体湿法工艺的核心材料,纯度要求极高,多氟多的产品落地标志着国产电子级氢氟酸达到国际先进水平。长鑫存储的产能扩张将带动其产品需求增长,同时多氟多还能借助长鑫存储的品牌效应,拓展其他半导体企业的市场。
雅克科技为长鑫存储提供光刻胶配套试剂和电子特气,产品已进入其供应链。光刻胶配套试剂与电子特气长期依赖进口,雅克科技的突破填补了国产材料的空白,长鑫存储的先进制程建设将拉动其高端材料需求,助力雅克科技在半导体材料领域进一步发展。
安集科技的CMP抛光液用于长鑫存储的晶圆平坦化工艺,技术指标对标国际龙头。CMP抛光液是半导体先进制程的核心材料,安集科技的产品性能已接近国际水平,长鑫存储的产能扩张将带动其产品需求,同时安集科技能通过合作不断优化产品,缩小与国际巨头的差距。
彤程新材的光刻胶树脂适配长鑫存储的DRAM制程需求,为国产光刻胶的发展奠定了基础。光刻胶树脂是光刻胶的核心原料,彤程新材的产品进入长鑫存储供应链,将推动国产光刻胶的技术升级,而长鑫存储的技术迭代,也将带动其高端光刻胶树脂的需求增长。
我的个人分析是,国产材料企业的发展得益于“需求驱动+国产替代”的双重动力:长鑫存储的产能扩张带来直接的需求增长,国产替代的政策导向与市场需求则推动材料企业加速技术突破,未来有望在更多核心材料领域实现国产化。
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五、封装代工企业:HBM封装成增长新引擎
封装代工是半导体产业链的重要环节,长鑫存储在HBM芯片领域的布局,让国内封装代工企业迎来新的增长机遇,同时可提升在高端封装领域的技术实力。
太极实业旗下十一科技承接了长鑫存储12英寸产线的设计与总承包,封装环节通过合资公司海太半导体展开合作。太极实业在半导体厂房建设和封装领域经验丰富,长鑫存储的产线建设将带动其工程总承包业务增长,海太半导体的合作也让其能分享长鑫存储的封装业务红利。
博敏电子为长鑫存储提供IC载板试产,合肥基地规划月产3万平米存储类载板,适配HBM封装需求。IC载板是HBM封装的核心材料,长期依赖进口,博敏电子的产品落地实现了国产IC载板在HBM领域的突破。长鑫存储的HBM芯片研发与量产,将大幅拉动其IC载板需求,助力博敏电子在高端载板领域站稳脚跟。
通富微电与长鑫存储合作开发HBM芯片样品,拥有2.5D封装生产线,TSV密度达106/厘米。2.5D封装是HBM芯片的核心技术,通富微电的技术实力得到长鑫存储认可,双方合作将加速HBM芯片的国产化进程。长鑫存储的HBM芯片量产,将为通富微电带来大量封装订单,提升其在高端封装领域的市场份额。
长电科技的XDFOI Chiplet技术支持HBM与逻辑芯片的集成,新加坡工厂还扩建了HBM封装产能。长电科技是国内封装领域的龙头,在Chiplet和HBM封装领域具备技术优势,长鑫存储的HBM芯片发展将带动其封装需求增长,同时长电科技的技术升级也能反哺长鑫存储的产品性能,实现协同发展。
我的个人分析是,HBM封装是封装代工领域的核心增长点,随着AI算力对HBM芯片的需求激增,与长鑫存储达成合作的封装企业,将在这一赛道中占据先发优势,业绩增长的弹性更大。
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六、投资逻辑与风险提示
长鑫存储IPO带来的产业链红利,为投资者布局国产存储芯片产业提供了方向,但同时也需警惕行业发展中的潜在风险。
核心投资逻辑
1. 国产替代:全球DRAM市场国产化率不足5%,长鑫存储的发展将加速国产替代进程,产业链上下游的国产企业将分享这一红利。
2. 需求驱动:AI算力、数据中心、智能汽车等下游领域对DRAM芯片的需求持续暴增,带动产业链整体需求提升。
3. 技术突破:长鑫存储在17nm制程上的突破,将缩小与国际巨头的差距,推动产业链企业的技术升级。
4. 资本赋能:295亿元募资将助力长鑫存储扩产与研发,带动产业链企业的订单增长与业务合作。
潜在风险提示
1. 技术风险:半导体技术迭代速度快,若长鑫存储未能及时实现技术突破,可能扩大与国际巨头的差距,影响产业链企业发展。
2. 市场风险:国际巨头可能通过降价等方式挤压市场份额,影响长鑫存储及产业链企业的盈利能力。
3. 产能风险:长鑫存储的产能扩张可能面临设备交付延迟、良率提升缓慢等问题,导致产能释放不及预期。
4. 政策风险:国际贸易政策变化可能影响半导体设备、材料的进口,进而冲击长鑫存储及产业链企业的生产经营。
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七、结语
长鑫存储的295亿IPO,是国产DRAM芯片产业发展的重要里程碑,不仅将推动企业自身的技术升级与产能扩张,也将带动股权关联、设备、材料、封装等产业链环节的发展,加速国产存储芯片的自主可控进程。
那么,在长鑫存储的产业链版图中,你认为哪一领域的企业最具成长潜力?你觉得国产DRAM芯片要实现全面国产替代,还需要突破哪些技术和市场瓶颈?欢迎在评论区分享你的观点,一起探讨国产存储芯片产业的未来!
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